|
Осцилляторы изготовлены на основе цилиндрического кристалла типа AT, с использованием технологии CMOS и пониженным энергопотреблением. Согласуются по уровням с микросхемами CMOS и TTL. Для работы практически не требуют внешних навесных элементов. Осцилляторы SG… имеют вывод управления режимом работы - останов генерации с резким уменьшением потребляемой мощности. |
|
Основные технические характеристики генераторов SG-531
| Наименование | Обозначение | SG-531P | SG-531PTJ | SG-531PH | Примечания | |
| Диапазон рабочих частот, (МГц) | fo | 1,0250…26,0000 | 26,0001…66,6667 | |||
| Напряжение питания, (В) | Максимальное | VDD-GND | -0,3…+7,0 | -0,5…+7,0 | ||
| Номинальное | VDD | 5+0,5 | ||||
| Темп. диапазон, (°С) |
Хранения | TSTG | -55…+125 | |||
| Рабочий | TOPR | -20…+70 (-40…+85)* | *Изготавливается на заказ | |||
| Стабильность частоты, (10-6) |
f/fo | В: +50, С: +100 |
Тип В (SG-531) выпускается до 55 МГц; |
|||
| Макс. потребляемый ток, (мА) | IOP | 23 | 35 | Без нагрузки | ||
| Макс. потребляемый ток в режиме останова, (мА) | IOE | 12 | 28 | 20 | При подаче на вывод "Управление" - лог "0" | |
| Скважность, (%) | C-MOS | tw/t | 40…60 | - | 40…60 | 1/2 уровня VDD |
| ТТЛ | 45…55 | 1/4уровняVDD | ||||
| Выходное напряжение, (В) | VOH | Мин. VDD-0,4 | Мин. 2,4 | Мин.VDD-0,4 | IOH=-400 мкА(P,PTJ)/-4 мА(PH) | |
| VOL | Макс. 0,4 | IOL=16 мА(P)/ 8мА(PTJ)/ 4мА(PH) | ||||
| Нагрузочная способность | C-MOS, макс. | CL | 50 пФ | - | 50пФ | |
| ТТЛ, макс. | N | 10 элементов | 5 элементов | - | CL не более 15пФ | |
| Напряжение управления, (В) | VIH | Мин. 2,0 | Мин. 3,5 | Мин. 2,0 | IIH=1мкА(макс.)."Управление" = VDD | |
| VIL | Макс. 0,8 | Макс. 1,5 | Макс. 0,8 | IIL=-100мкА(мин.). "Управление" =GND | ||
| Время нарастания, (нс) | C-MOS, макс. | tTLH | 8 | - | 7 | Нагрузка C-MOS от 20% до 80% VDD |
| ТТЛ, макс. | 5 | - | Нагрузка ТТЛ от 0,4 до 2,4В | |||
| Время спада, (нс) | C-MOS | tTHL | 8 | - | 7 | Нагрузка C-MOS от 80% до 20% VDD |
| ТТЛ | 5 | - | Нагрузка ТТЛ от 2.4 до 0.4В | |||
| Максимальное время запуска генератора, (мс) | tOSC | 4 | 10 | Более 1мс при нарастании VDD от 0 до 4.5В. При VDD=4.5В tOSC=0 с | ||
| Старение | fa | Макс. 5x10-6 в год | Ta=25 °С, VDD=5 В, первый год | |||
| Виброустойчивость | S.R. | Макс. 20x10-6 | Три падения на твердую поверхность с высоты 750 мм или вибрационный тест с ускорением 29400 м/с2 х 0.3мс х 1/2 синусоид. колебаниями в трех направлениях | |||
Основные технические характеристики генераторов SG-8002
| Наименование | Обозначение | PT/ST | PH/SH | PC/SC | Примечания | |
| Диапазон рабочих частот, (МГц) | fo | 1,0000 до 125,0000 | PT/ST/PH/SH (M: 100 x 10-6) : от 1 МГц до 55 МГц PC/SC (от 2,7 до 3,6 В): от 1,0 МГц до 66,70 МГц |
|||
| Напряжение питания, (В) | Максимальное | VDD-GND | -0,5…+7,0 | |||
| Номинальное | VDD | 5±0,5 | 3,0…3,6 (2,7…3,6)* | для SG8002CA | ||
| Темп. диапазон, (°С) | Хранения | TSTG | -55…+125 | |||
| Рабочий | TOPR | -20…+70 (-40…+85)* | -40…+85 | *Изготавливается на заказ | ||
| Стабильность частоты, (10-6) | Δf/fo | В: +50, С: +100 | B,C: -20°C…+70°C | |||
| M: +100 | M: -40°C…+85°C | |||||
| Макс. потребляемый ток, (мА) | IOP | 45 | 28 (25*) | Без нагрузки; *-для SG8002CA | ||
| Макс. потребляемый ток в режиме останова, (мА) | IOE | 30 | 16 (15*) | При подаче на вывод "Управление" - лог "0"; *-для SG8002CA | ||
| Скважность, (%) | C-MOS | tw/t | - | 40…60 | 1/2 уровня VDD | |
| ТТЛ | 40…60 | - | 1/4уровняVDD | |||
| Выходное напряжение, (В) | VOH | Мин.VDD-0,4 | IOH=-16 мА(PT/ST, PH/SH), -8 мА(PC/SC) | |||
| VOL | Макс. 0,4 | IOL=16 мА(PT/ST, PH/SH), 8 мА(PC/SC) | ||||
| Нагрузочная способность | C-MOS, макс. | CL | 15пФ | 25пФ | 15пФ | Макс. частота и макс. рабочее напряжение |
| ТТЛ, макс. | N | 5 элементов | - | |||
| Напряжение управления, (В) | VIH | Мин. 2,0 | Мин. 0,7xVDD | На выводах /ST, ОЕ | ||
| VIL | Макс. 0,8 | Макс. 0,2xVDD | ||||
| Время нарастания, (нс) | C-MOS, макс. | tTLH | - | 4 | Нагрузка C-MOS от 20% до 80% VDD | |
| ТТЛ, макс. | 4 | - | Нагрузка ТТЛ от 0,4 до 2,4В | |||
| Время спада, (нс) | C-MOS, макс. | tTHL | - | 4 | Нагрузка C-MOS от 80% до 20% VDD | |
| ТТЛ, макс. | 4 | - | Нагрузка ТТЛ от 2.4 до 0.4В | |||
| Максимальное время запуска генератора, (мс) | tOSC | 10 | Время нарастания VDD до VDD мин. 0 сек. | |||
| Старение | fa | Макс. 5x10-6 в год | Ta=25 °С, VDD=5 В/3,3 В(PC/SC) | |||
| Виброустойчивость | S.R. | Макс. 20x10-6 | Три падения на твердую поверхность с высоты 750 мм или вибрационный тест с ускорением 29400 м/с2 х 0.3мс х 1/2 синусоид. колебаниями в трех направлениях |
|||
Габаритные чертежи, описание выводов
| SG-8002CA | SG-8002DC, SG-531 | |||||||||||||||||
 |
 |
|||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
